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华进半导体作为国家级先进封装技术研发中心的

来源:未知   作者:admin    发布时间: 2020-09-29 06:44   浏览:

华进半导体作为国家级先进封装技术研发中心的

  先进封装技术尤其是第四代封装技术TSV,经过近年来的发展已经受到行业的广泛认可,其更好的电气互连性能、更宽的带宽、更高的互连密度等多种优势使各大半导体厂商不断对TSV立体堆叠技术投入研究和应用。

  作为国家提前布局的国产先进封装企业——华进半导体,如今发展如何?今天邀请到了华进半导体市场与产业化部总监周鸣昊先生和我们分享华进半导体作为国家级先进封装技术研发中心的探索之路。

  我们公司是由中科院微电子所牵头,于2012年年底在无锡注册成立的,到现在已经第8年了。公司从诞生至今一直致力于从事先进封装领域的工艺技术开发与工程应用技术开发。

  行业一直在追赶国际先进水平,在先进封装这个领域,我们跟国外的差距相对较小,所以决定在先进封装领域应该优先做一些布局,这样也能更快地拉近与国际先进水平的差距,这就是华进半导体成立的一个背景和初衷。

  幻实(主播)当时国内对先进封装概念了解的多吗?团队创建时有遇到什么困难吗?

  在2012年底公司创立之初,当时对先进封装的概念很多人都不是太清晰,接触的也不多,所以开始的时候还是比较辛苦的。

  国内当时做先进封装的公司还很少,我们的团队人员主要是中科院微电子所系统封装实验室的博士和专家,以及国外一些有代表性的研究机构及公司的人才。由于很多的工艺起初我们缺少设备制造,只能依托国外的一些设备厂家协助我们做这件事。

  那时候国内整个行业都属于刚起步阶段,我们的股东包括了一些封测行业里面的上市公司,大家都看到了先进封装的重要性,也刚开始做先进封装。所以早期的时候虽然辛苦,但是有着明确的目标和动力,整个项目推进的速度和整体的效率实际上还不错。

  当了行业内的先行者和领路人,一路走来肯定会有很多艰辛的感受,公司目前发展到什么程度了?有没有什么值得骄傲的事情跟我们分享一下?

  华进成立的时候,实际上国家跟行业给我们的定位就是一个以技术研发为主的非盈利机构,但同时我们又是一个企业,既要承担自负盈亏的风险,又要有自主创新的发展眼光,还要起到引领行业发展的作用,其实压力是比较大的。公司这些年的发展,得到了行业以及各级领导单位的多方支持和认可。

  华进运行到现在已经连续三年盈利,目前整体已经基本实现了可持续发展。另一方面我们在2020年初正式获批国家集成电路特色工艺及封装

  创新中心“国家制造业创新中心”的称号,正式成为了国家队。得到这些成果也是对我们的努力和前期发展模式的认可,随之而来就要进入到新一轮的投入跟再发展的过程中。

  华进开始创建的时候,似乎更多的是填补产业链的空白。目前来说,你们在服务产业客户时,在解决市场化以及要保存国有的责任感之间是如何来寻找平衡的?从经营团队来讲,有没有一些心得可以分享?

  首先我们还是立足于自己是企业,不会去破坏市场的竞争规则,还是遵照市场化的行为运作,正常报价,签订商业合同,按照流程来做。

  另一方面华进会支持产业界的一些中小创的企业,我们本身是个服务平台,希望帮助产业链中的中小创企业解决一些具体问题,帮他们去整合产业链的资源。

  另外一方面华进跟一些大企业、国企以及国家的科技项目合作,全力去推进科技研发和国家的产业发展。我们会毫不吝啬的把大量的资金投入到研发中去,虽然研发和设备人员投入的资金占比非常高,投入非常大,但是我们还是会持续不断的继续下去。

  华进志存高远,脚踏实地,经过数年的运营和产业上的深耕,可能会有一些更深的领悟和想法,请您给我们来讲一讲目前华进在市场上提供什么样的特色服务?哪些方面是你们独有的优势?

  我们有一条12英寸的晶圆级封装线,这条线的主要优势在于大部分的装备与材料都是国产的,在现在市场行情下,这条以国产装备为主的产线就显得很特别也格外重要。

  我们是国内比较早能够提供从封装设计、仿真、晶圆工艺到后道组装工艺的公司,相当于一站式服务的企业,这样的公司为数不多,同时我们也为行业培养了很多的人才。在跟芯片设计公司合作时,我们从前期芯片设计阶段就参与进来,提供封装方案的设计,后面的晶圆工艺跟组装工艺一直伴随着前期的工程PE、研发分享、批量量产。

  华进主打的技术实际上还是TSV技术及TSV相关的技术,扇出型封装成套工艺,以及围绕先进封装工艺的系统级封装技术。我们有TSV硅转接板(硅

  )成套工艺能力,包括高深宽比TSV工艺、细线路多层RDL、常规凸点及微凸点、

  last TSV、viamiddle TSV这些工艺。另外我们现在也在后道的多芯片大尺寸的 SiP上布局与产业化。典型SiP封装结构示意图

  我们还孵化了一个做失效分析可靠性的企业,目前已经服务了好几百家企业,这个公司定位比较清楚,也希望业界多多支持,能够让它迅速发展起来。

  除了服务以外,我们主要还是做研发。有关芯片的新技术,哪怕是一些原创技术,需要做一些工程化的研发,二次技术的开发等等,都可以找我们合作,华进有很强的技术研发团队,中科院微电子所也有很好的研发资源的支持。

  TSV是华进的优势技术,也是非常重要的一个发展方向,能给我们简单科普一下这个技术的构成和发展趋势吗?

  我们通过把芯片的互连长度进一步的缩短,以提高封装系统的性能,就是从原来的打线进一步缩短到做凸点,我们称之为Bumping。

  技术,硅通孔就是在我们芯片里面,通过刻蚀做一个垂直的孔,内部做金属化来把这个信号从芯片的一面引到另一面,以实现相当于信号的互连,这是一种比较先进的封装的互连形式。实际上国外前道厂做的比较早比较多,国内前道厂起步比较晚,所以现在穿透硅通孔技术就落到我们中道厂来做这个事。

  TSV技术本身也分成好几块,有在前道厂完成的,有在我们中道厂晶圆工艺完成的。目前国内一些量产厂逐步也具备了这方面的能力,但是比较偏前瞻性的,技术指标相对更高一些的,主要还是华进负责在做。

  TSV技术的发展趋势就是把它做的更小更细更密,一方面为了在同一个面积里面实现更多的垂直互连,使得它的支撑力度更进一步的增加,第二个方面为了把垂直互连做得更好,使得它可以通过的信号指标、

  这个技术现在不光是封装厂在做,前道厂像台积电因特尔这些都在做。那么实际上最大的一个问题就是商业模式的问题,最后到底是落在前道厂,还是在IDM厂,还是在封装厂来做,如果投资这个领域可能会比较犹豫。

  第二点从设备投入到整个的工艺难度来看,成本还是偏高,所以现在TSV基本上是用在一些相对高端的产品上,或者说一些必须用到垂直互连的应用领域,这个可能是对TSV快速推广发展比较大的制约因素。

  我们是从2012年2013年开始着手这件事,起初的几年,因为处在技术积累的阶段,我们拥有很少的客户。

  幻实(主播)又一次证明了华进成立的初衷是为了补全产业链的空白,越是困难,越是市场化没办法把它解决的,越是要自己建,可以看出华进是一家特别有社会和国家责任感的公司。

  您作为行业内资深的从业人员,对这个行业发表一些看法或者是期许的话,您的观点是什么?

  首先我希望更多的大学生可以投入到这个产业里来,从做设计做工艺这些看起来比较累的工作开始。这个行业现在还是非常缺人的,它是个厚积薄发的产业,你前面付出的辛苦和打下的基础,以后都是会有所回报的。

  对整个产业来说也希望大家能够团结一致,眼光放的长远一些,避免一些恶性竞争和急功近利的做法,希望大家可以踏踏实实的专研技术,既要兼顾收益,兼顾资本,又要兼顾技术积累。现在行业里面大家都想去做应用,做产品,从事技术科学的人不多,真正做基础科学研究的也不多。希望大家可以多多关注这个产业,也为产业多输送一些人才,提供一些支持,对这个产业多一点奉献。

  作为芯片产业链重要一环的封装环节,国内一直在日益追近与国际先进水平的差距。一方面归功于国家的提前规划和布局,另一方面也是以华进为代表的国产先进封装企业不断突破固有思维,不断培养人才和对技术积累的成果。

  通过“华进模式“我们不难发现,中国半导体产业的发展突破是有迹可循,有不少的成功经验可以学习的。针对芯片国产化之路行业人要做到不骄不躁,有的放矢,每个细分行业都可以像华进一样摸索出一条属于自己的发展道路。

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  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...